Vishay Siliconix - SQJ412EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418722

SQJ412EP-T1_GE3 التسعير (USD) [74217الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.52684
  • 3,000 pcs$0.44424

رقم القطعة:
SQJ412EP-T1_GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - RF, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - IGBTs - وحدات and الثنائيات - زينر - واحد ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ412EP-T1_GE3 electronic components. SQJ412EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ412EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ412EP-T1_GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SQJ412EP-T1_GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
سلسلة : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 32A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 5950pF @ 20V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية : PowerPAK® SO-8