رقم القطعة :
SISC050N10DX1SA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CHAN SAWED WAFER
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
-
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
-
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
-
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-