WeEn Semiconductors - BYV25F-600,127

KEY Part #: K6445495

BYV25F-600,127 التسعير (USD) [2088الأسهم قطعة]

  • 5,000 pcs$0.13842

رقم القطعة:
BYV25F-600,127
الصانع:
WeEn Semiconductors
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC. Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF and الترانزستورات - IGBTs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV25F-600,127 electronic components. BYV25F-600,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV25F-600,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV25F-600,127 سمات المنتج

رقم القطعة : BYV25F-600,127
الصانع : WeEn Semiconductors
وصف : DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 5A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.9V @ 5A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 35ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 50µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : TO-220-2
حزمة جهاز المورد : TO-220AC
درجة حرارة التشغيل - مفرق : 150°C (Max)
قد تكون أيضا مهتما ب
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.