رقم القطعة :
TK11A55D(STA4,Q,M)
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
550V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
11A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
630 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
25nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1350pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220SIS
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack