الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
10A (Ta), 12A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
900pF @ 10V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount