ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-5BLI

KEY Part #: K936822

IS43R86400F-5BLI التسعير (USD) [15145الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$3.02548

رقم القطعة:
IS43R86400F-5BLI
الصانع:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
وصف مفصل:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: واجهة - أجهزة المودم - المرحلية والوحدات النمطية, PMIC - التحكم في الطاقة عبر الإيثرنت (PoE), المنطق - مولدات التكافؤ والمدققون, PMIC - منظمات الفولت - تحكم DC DC التبديل, PMIC - منظمات الفولت - منظمات التبديل DC DC, PMIC - مفاتيح توزيع الطاقة ، تحميل السائقين, PMIC - أو تحكم ، الثنائيات المثالية and واجهة - الاتصالات ...
Competitive Advantage:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BLI electronic components. IS43R86400F-5BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-5BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400F-5BLI سمات المنتج

رقم القطعة : IS43R86400F-5BLI
الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
وصف : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الذاكرة : Volatile
تنسيق الذاكرة : DRAM
تقنية : SDRAM - DDR
حجم الذاكرة : 512Mb (64M x 8)
تردد على مدار الساعة : 200MHz
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns
وقت الوصول : 700ps
واجهة الذاكرة : Parallel
الجهد - العرض : 2.3V ~ 2.7V
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 60-TFBGA
حزمة جهاز المورد : 60-TFBGA (13x8)

أحدث الأخبار

قد تكون أيضا مهتما ب
  • MB85RS2MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8DIP.

  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8