رقم القطعة :
TPH4R008NH,L1Q
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
60A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
59nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5300pF @ 40V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.6W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-SOP Advance (5x5)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN