Diodes Incorporated - DMT6016LSS-13

KEY Part #: K6417302

DMT6016LSS-13 التسعير (USD) [409104الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.09041
  • 2,500 pcs$0.08092

رقم القطعة:
DMT6016LSS-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات and الثايرستور - SCRs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6016LSS-13 electronic components. DMT6016LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6016LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6016LSS-13 سمات المنتج

رقم القطعة : DMT6016LSS-13
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 9.2A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 864pF @ 30V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : 8-SO
حزمة / القضية : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.