رقم القطعة :
APTM100DSK35T3G
الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1000V (1kV)
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
22A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
186nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5200pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount