Vishay Siliconix - SIHH27N60EF-T1-GE3

KEY Part #: K6417025

SIHH27N60EF-T1-GE3 التسعير (USD) [23347الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$1.76519

رقم القطعة:
SIHH27N60EF-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH27N60EF-T1-GE3 electronic components. SIHH27N60EF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH27N60EF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH27N60EF-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIHH27N60EF-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8
سلسلة : E
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 29A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 2609pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 202W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 8 x 8
حزمة / القضية : 8-PowerTDFN

قد تكون أيضا مهتما ب
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.