ON Semiconductor - FDS86106

KEY Part #: K6417597

FDS86106 التسعير (USD) [213080الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.17445
  • 2,500 pcs$0.17358

رقم القطعة:
FDS86106
الصانع:
ON Semiconductor
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - IGBTs - وحدات and الثنائيات - زينر - واحد ...
Competitive Advantage:
We specialize in ON Semiconductor FDS86106 electronic components. FDS86106 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS86106, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS86106 سمات المنتج

رقم القطعة : FDS86106
الصانع : ON Semiconductor
وصف : MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC
سلسلة : PowerTrench®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 3.4A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 208pF @ 50V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : 8-SOIC
حزمة / القضية : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

قد تكون أيضا مهتما ب