الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
80nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2565pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
335W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB