Comchip Technology - 1N4007B-G

KEY Part #: K6442795

وصف مفصل:: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41. Rectifiers DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - IGBTs - واحدة and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...

Competitive Advantage:: We specialize in Comchip Technology 1N4007B-G electronic components. 1N4007B-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007B-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : 1N4007B-G

الصانع : Comchip Technology

وصف : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Standard

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 1000V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 1A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 1A

سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : -

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 1000V

السعة @ Vr ، F : 15pF @ 4V, 1MHz

تصاعد نوع : Through Hole

حزمة / القضية : DO-204AL, DO-41, Axial

حزمة جهاز المورد : DO-41

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب

VS-8EWS12SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.
VS-8EWS16SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.
VS-8EWF12SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.
VS-8EWS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.
VS-8EWF10SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.
VS-8EWF04SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.