Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10DE-E3/54

KEY Part #: K6457782

EGP10DE-E3/54 التسعير (USD) [682537الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.05719
  • 5,500 pcs$0.05690

رقم القطعة:
EGP10DE-E3/54
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10DE-E3/54 electronic components. EGP10DE-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10DE-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP10DE-E3/54 سمات المنتج

رقم القطعة : EGP10DE-E3/54
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
سلسلة : SUPERECTIFIER®
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 950mV @ 1A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 50ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 200V
السعة @ Vr ، F : 22pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : DO-204AL, DO-41, Axial
حزمة جهاز المورد : DO-204AL (DO-41)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated