Vishay Siliconix - SIR820DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419782

SIR820DP-T1-GE3 التسعير (USD) [132001الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.28020

رقم القطعة:
SIR820DP-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - زينر - واحد, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIR820DP-T1-GE3 electronic components. SIR820DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR820DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR820DP-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIR820DP-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 40A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 3512pF @ 15V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 37.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية : PowerPAK® SO-8

قد تكون أيضا مهتما ب
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.