الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9.6A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
14 mOhm @ 9.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
18nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1240pF @ 10V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
18-BGA (2.5x4)