Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV21WS-HE3-08

KEY Part #: K6455857

BAV21WS-HE3-08 التسعير (USD) [1600297الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.02311
  • 3,000 pcs$0.02206
  • 6,000 pcs$0.01919
  • 15,000 pcs$0.01631
  • 30,000 pcs$0.01535
  • 75,000 pcs$0.01439
  • 150,000 pcs$0.01279

رقم القطعة:
BAV21WS-HE3-08
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر, الثنائيات - زينر - واحد, الثايرستور - SCRs - وحدات and وحدات سائق السلطة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21WS-HE3-08 electronic components. BAV21WS-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21WS-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV21WS-HE3-08 سمات المنتج

رقم القطعة : BAV21WS-HE3-08
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
سلسلة : Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 250mA (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.25V @ 200mA
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 50ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 100nA @ 200V
السعة @ Vr ، F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : SC-76, SOD-323
حزمة جهاز المورد : SOD-323
درجة حرارة التشغيل - مفرق : 150°C (Max)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns