رقم القطعة :
SGR2N60UFDTM
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
600V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
2.4A
الحالية - جامع نابض (ICM) :
10A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
2.6V @ 15V, 1.2A
تحويل الطاقة :
30µJ (on), 13µJ (off)
يوم (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية :
15ns/80ns
شرط الاختبار :
300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
-
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63