رقم القطعة :
SQM120N02-1M3L_GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 20V 120A TO263
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
120A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
290nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
14500pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-263 (D²Pak)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB