الصانع :
Texas Instruments
وصف :
MOSFET 2N-CH 20V 5A
نوع FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
-
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
-
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
7.8nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
4-Picostar (1.31x1.31)