الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4.7A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
44 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
35nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1180pF @ 40V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد :
8-SOIC