IXYS - IXTA3N100P

KEY Part #: K6394640

IXTA3N100P التسعير (USD) [35224الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$1.35227
  • 50 pcs$1.34555

رقم القطعة:
IXTA3N100P
الصانع:
IXYS
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثايرستور - SCRs, الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in IXYS IXTA3N100P electronic components. IXTA3N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA3N100P سمات المنتج

رقم القطعة : IXTA3N100P
الصانع : IXYS
وصف : MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
سلسلة : PolarVHV™
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 1000V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 3A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1100pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : TO-263 (IXTA)
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB