الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
76nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2750pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-SOIC
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)