الصانع :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
وصف :
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
46 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11.3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1128pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-SOIC
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)