رقم القطعة :
IRFH5010TR2PBF
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
13A (Ta), 100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
98nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
4340pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.6W (Ta), 250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-PQFN (5x6)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN