رقم القطعة :
IPP80N06S4L05AKSA2
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH TO220-3
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
80A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
8.5 mOhm @ 40A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 60µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
110nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
8180pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO220-3-1