Vishay Siliconix - SIHB33N60EF-GE3

KEY Part #: K6399482

SIHB33N60EF-GE3 التسعير (USD) [12620الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$3.15100
  • 10 pcs$2.83590
  • 100 pcs$2.33174
  • 500 pcs$1.95362
  • 1,000 pcs$1.70154

رقم القطعة:
SIHB33N60EF-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الثنائيات - زينر - واحد, الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB33N60EF-GE3 electronic components. SIHB33N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB33N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB33N60EF-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIHB33N60EF-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 33A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 3454pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 278W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : D²PAK (TO-263)
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

قد تكون أيضا مهتما ب
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.