الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
12.5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
10.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
35nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2409pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
30-BGA (4x3.5)