رقم القطعة :
SI7942DP-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
نوع FET :
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.8A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
49 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
24nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8 Dual
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8 Dual