Vishay Siliconix - SI8457DB-T1-E1

KEY Part #: K6404926

SI8457DB-T1-E1 التسعير (USD) [418702الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.08878
  • 3,000 pcs$0.08834

رقم القطعة:
SI8457DB-T1-E1
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF and الترانزستورات - JFETs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI8457DB-T1-E1 electronic components. SI8457DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8457DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8457DB-T1-E1 سمات المنتج

رقم القطعة : SI8457DB-T1-E1
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 12V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : -
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 19 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 93nC @ 8V
Vgs (ماكس) : ±8V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 2900pF @ 6V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
حزمة / القضية : 4-UFBGA

قد تكون أيضا مهتما ب