رقم القطعة :
DMS2085LSD-13
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET P-CH 20V 3.3A
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.3A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
7.8nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
353pF @ 15V
ميزة FET :
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)