ON Semiconductor - FDMA3027PZ

KEY Part #: K6523048

FDMA3027PZ التسعير (USD) [192787الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.19282
  • 3,000 pcs$0.19186

رقم القطعة:
FDMA3027PZ
الصانع:
ON Semiconductor
وصف مفصل:
MOSFET 2P-CH 30V 3.3A MICRO.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, وحدات سائق السلطة, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات ...
Competitive Advantage:
We specialize in ON Semiconductor FDMA3027PZ electronic components. FDMA3027PZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMA3027PZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMA3027PZ سمات المنتج

رقم القطعة : FDMA3027PZ
الصانع : ON Semiconductor
وصف : MOSFET 2P-CH 30V 3.3A MICRO
سلسلة : PowerTrench®
حالة الجزء : Active
نوع FET : 2 P-Channel (Dual)
ميزة FET : Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 3.3A
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 87 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 10nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 435pF @ 15V
أقصى القوة : 700mW
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 6-VDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد : 6-MicroFET (2x2)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.