رقم القطعة :
DMJ70H1D3SI3
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
700V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4.6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
13.9nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
351pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
41W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-251
حزمة / القضية :
TO-251-3 Stub Leads, IPak