رقم القطعة :
DMT6016LFDF-7
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8.9A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
17nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
864pF @ 30V
تبديد الطاقة (ماكس) :
820mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
6-UDFN (2x2)
حزمة / القضية :
6-UDFN Exposed Pad