رقم القطعة :
FDB86360-F085
الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
110A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
253nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
14600pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
333W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
D²PAK (TO-263AB)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB