Diodes Incorporated - DMN3112SSS-13

KEY Part #: K6407631

[907الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    DMN3112SSS-13
    الصانع:
    Diodes Incorporated
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - الغرض الخاص and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Diodes Incorporated DMN3112SSS-13 electronic components. DMN3112SSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3112SSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMN3112SSS-13 سمات المنتج

    رقم القطعة : DMN3112SSS-13
    الصانع : Diodes Incorporated
    وصف : MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
    سلسلة : -
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 6A (Ta)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 57 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : -
    Vgs (ماكس) : ±20V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 268pF @ 15V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 2.5W (Ta)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة جهاز المورد : 8-SOP
    حزمة / القضية : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • ZVNL110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4206AVSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR220NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

    • IRFR3709ZTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.