Comchip Technology - CDBDSC8650-G

KEY Part #: K6441547

CDBDSC8650-G التسعير (USD) [26720الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$1.54245

رقم القطعة:
CDBDSC8650-G
الصانع:
Comchip Technology
وصف مفصل:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر and الترانزستورات - Unijunction للبرمجة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Comchip Technology CDBDSC8650-G electronic components. CDBDSC8650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC8650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC8650-G سمات المنتج

رقم القطعة : CDBDSC8650-G
الصانع : Comchip Technology
وصف : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Silicon Carbide Schottky
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 650V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 25.5A (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.7V @ 8A
سرعة : No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 0ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 100µA @ 650V
السعة @ Vr ، F : 550pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد : D-PAK (TO-252)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-E4PH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L