Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWS10STRPBF

KEY Part #: K6441575

[3429الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    VS-8EWS10STRPBF
    الصانع:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف مفصل:
    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - RF, الترانزستورات - JFETs, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال and الترانزستورات - IGBTs - وحدات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS10STRPBF electronic components. VS-8EWS10STRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWS10STRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8EWS10STRPBF سمات المنتج

    رقم القطعة : VS-8EWS10STRPBF
    الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
    وصف : DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
    سلسلة : -
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع الصمام الثنائي : Standard
    الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 1000V
    الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 8A
    الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 8A
    سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
    الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 50µA @ 1000V
    السعة @ Vr ، F : -
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    حزمة جهاز المورد : D-PAK (TO-252AA)
    درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • CDBDSC8650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

    • CDBDSC10650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

    • VS-8EWS10STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-8EWS10STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-CPU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

    • VS-C4PH6006LHN3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L