GeneSiC Semiconductor - 1N3294AR

KEY Part #: K6425036

وصف مفصل:: DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA. Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثايرستور - TRIACs and الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) ...

Competitive Advantage:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3294AR electronic components. 1N3294AR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3294AR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : 1N3294AR

الصانع : GeneSiC Semiconductor

وصف : DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Standard, Reverse Polarity

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 800V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 100A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.5V @ 100A

سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : -

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 13mA @ 800V

السعة @ Vr ، F : -

تصاعد نوع : Chassis, Stud Mount

حزمة / القضية : DO-205AA, DO-8, Stud

حزمة جهاز المورد : DO-205AA (DO-8)

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -40°C ~ 200°C

قد تكون أيضا مهتما ب

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.