الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
100 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
13nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
480pF @ 5V
تبديد الطاقة (ماكس) :
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
6-TSOP