رقم القطعة :
SSM3J15FV,L3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
100mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
12 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.7V @ 100µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
9.1pF @ 3V
تبديد الطاقة (ماكس) :
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount