Vishay Siliconix - SI3993DV-T1-GE3

KEY Part #: K6524051

SI3993DV-T1-GE3 التسعير (USD) [3960الأسهم قطعة]

  • 3,000 pcs$0.14509

رقم القطعة:
SI3993DV-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - SCRs - وحدات and الترانزستورات - الغرض الخاص ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI3993DV-T1-GE3 electronic components. SI3993DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3993DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3993DV-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SI3993DV-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Obsolete
نوع FET : 2 P-Channel (Dual)
ميزة FET : Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 1.8A
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : -
أقصى القوة : 830mW
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد : 6-TSOP

قد تكون أيضا مهتما ب