وصف :
GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
تقنية :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
150V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
31A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 9mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
10nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1140pF @ 75V
تصاعد نوع :
Surface Mount