رقم القطعة :
IPS70R600P7SAKMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
700V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
364pF @ 400V
تبديد الطاقة (ماكس) :
43W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO251-3
حزمة / القضية :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA