وصف :
GANFET TRANS 100V 25A BUMPED DIE
حالة الجزء :
Discontinued at Digi-Key
تقنية :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
25A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
10nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
950pF @ 50V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 125°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
Die Outline (11-Solder Bar)