Vishay Siliconix - SIS890DN-T1-GE3

KEY Part #: K6419876

SIS890DN-T1-GE3 التسعير (USD) [140802الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.26269
  • 3,000 pcs$0.24667

رقم القطعة:
SIS890DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - الغرض الخاص and الترانزستورات - IGBTs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIS890DN-T1-GE3 electronic components. SIS890DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS890DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS890DN-T1-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIS890DN-T1-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 30A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 23.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 802pF @ 50V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 1212-8
حزمة / القضية : PowerPAK® 1212-8

قد تكون أيضا مهتما ب