Vishay Siliconix - SI1071X-T1-GE3

KEY Part #: K6407723

[874الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    SI1071X-T1-GE3
    الصانع:
    Vishay Siliconix
    وصف مفصل:
    MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, وحدات سائق السلطة, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثنائيات - مقومات الجسر and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1071X-T1-GE3 electronic components. SI1071X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1071X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1071X-T1-GE3 سمات المنتج

    رقم القطعة : SI1071X-T1-GE3
    الصانع : Vishay Siliconix
    وصف : MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
    سلسلة : TrenchFET®
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : P-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : -
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 2.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 167 mOhm @ 960mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.45V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 13.3nC @ 10V
    Vgs (ماكس) : ±12V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 315pF @ 15V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 236mW (Ta)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة جهاز المورد : SC-89-6
    حزمة / القضية : SOT-563, SOT-666

    قد تكون أيضا مهتما ب