الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5.6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
440 mOhm @ 2.8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
8nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
235pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
37W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220-3