EPC - EPC2103ENGRT

KEY Part #: K6523239

EPC2103ENGRT التسعير (USD) [19462الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$2.34097
  • 500 pcs$2.32932

رقم القطعة:
EPC2103ENGRT
الصانع:
EPC
وصف مفصل:
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات الجسر, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - JFETs, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) and الترانزستورات - IGBTs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in EPC EPC2103ENGRT electronic components. EPC2103ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2103ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2103ENGRT سمات المنتج

رقم القطعة : EPC2103ENGRT
الصانع : EPC
وصف : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
سلسلة : eGaN®
حالة الجزء : Active
نوع FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET : GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 23A
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 7600pF @ 40V
أقصى القوة : -
درجة حرارة التشغيل : -
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : Die
حزمة جهاز المورد : Die
قد تكون أيضا مهتما ب
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.