EPC - EPC2007

KEY Part #: K6406612

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - JFETs, الثنائيات - RF, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات and الثنائيات - مقومات الجسر ...

Competitive Advantage:: We specialize in EPC EPC2007 electronic components. EPC2007 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2007, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : EPC2007

الصانع : EPC

وصف : GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

سلسلة : eGaN®

حالة الجزء : Obsolete

نوع FET : N-Channel

تقنية : GaNFET (Gallium Nitride)

استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V

الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 6A (Ta)

جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id، Vgs : 30 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.2mA

بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 2.8nC @ 5V

Vgs (ماكس) : +6V, -5V

سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 205pF @ 50V

ميزة FET : -

تبديد الطاقة (ماكس) : -

درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 125°C (TJ)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة جهاز المورد : Die Outline (5-Solder Bar)

حزمة / القضية : Die

قد تكون أيضا مهتما ب

IRFR3410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.
IRFR1018ETRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.
IRLR024ZTRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.
TK40P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.
TP0610K-T1

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.
2N7002E

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.